N; 60V; 1,7A; 1,3W; 0,2 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 1,7 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): ≈6,8 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 0,2 Ом @10 В
- Порогова напруга VGS(th): 1…2 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 1,3 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: HD1
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота в драйверах двигунів
- Робота в UPS
- Силова комутація
Розпіновка
Корпус HD1 / HVMDIP, 4 виводи: 1. Drain (D) 2. Gate (G) 3. Source (S) 4. Drain (D) — електрично з'єднаний із виводом 1. Два контакти Drain використовуються як одна силова точка.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
Інформація для замовлення
- Ціна: 51,04 ₴



