N-Ch 650V 8A 106W 4V
Опис
це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором, призначений для високовольтної силової комутації. Основні сфери застосування: SMPS, інвертори, PFC, перетворювачі, електронні баласти та інші імпульсні силові каскади.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 650 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 8 А
- Порогова напруга VGS(th): до ≈4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
- Потужність розсіювання (PD): 106 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
Розпіновка
Корпус TO-220F, дивимося на сторону з маркуванням, ніжки вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня FullPak електрично ізольована.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 56,26 ₴


