N-Ch 650V 8A 178W 0.82Ω@10V,4A 2V
Опис
це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором, призначений для високовольтної силової комутації. Основні сфери застосування: SMPS, інвертори, PFC, перетворювачі, електронні баласти та інші імпульсні силові каскади.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 650 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 8 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 0,82 Ом @10 В
- Порогова напруга VGS(th): приблизно 2…4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
- Потужність розсіювання (PD): 178 Вт за VBsemi-карткою
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
Розпіновка
Корпус TO-220F, дивимося на сторону з маркуванням, ніжки вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня FullPak електрично ізольована.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 55,10 ₴


