Транзистор польовий IRLML6346 (VBR6N)

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: SOT-23
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 3.4 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 1.3 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 80 мОм
• Особливості: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування силовими лініями у BMS
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус SOT-23, стандартна для цієї групи MOSFET орієнтація, вид зверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Витік) 3. Drain (D, Сток) Для заміни деталлю іншого виробника цокольовку все одно слід звірити.