Транзистор польовий TM50N06P

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 50 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): typ 13 мОм; max 18 мОм @10 В
• Порогова напруга VGS(th): 1,4…2,5 В (typ 1,9 В)
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Повний заряд затвора (Qg): ≈48 нКл
• Ємності: Ciss ≈1,9 нФ; Coss ≈150 пФ; Crss ≈110 пФ
• Час перемикання: td(on) ≈7,2 нс; td(off) ≈27,8 нс
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота у BMS
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота в драйверах двигунів
• Робота в UPS
• Силова комутація

Розпіновка

Корпус TO-220AB, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.