Транзистор польовий AO4600-VB

Опис

це комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel) у корпусі SO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключі навантаження та компактні імпульсні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel)
• Корпус: SO-8
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 8 А
• Особливості: два MOSFET в одному корпусі
• VDS: +30 В (N) / -30 В (P)
• ID: +6,9 А (N) / приблизно -5 А (P) за AOS
• VGS(max): ±12 В
• PD: 2 Вт
• TJ: -55…+150 °C

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Захист акумуляторних ліній
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення

Розпіновка

Корпус SO-8, комплементарна збірка: 1. G1 2. S1 3. G2 4. S2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1 У цій моделі розташування G/S відрізняється від багатьох інших dual SO-8.