N-Channel MOSFET 650V, 20A, 0,19Ω
Опис
це N-канальний CoolMOS з ізольованим затвором, призначений для високовольтної силової комутації. Основні сфери застосування: SMPS, інвертори, PFC, перетворювачі, електронні баласти та інші імпульсні силові каскади.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний CoolMOS
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В для оригінального SPP20N60C3; картка Nikom пише 650 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 20,7 А (порядку 20 А)
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): ≈0,19 Ом @10 В
- Порогова напруга VGS(th): ≈2,1…3,9 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): ≈200 Вт клас TO-220
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
Розпіновка
Корпус TO-220AB, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 650 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,19 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2,1-3,9 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 20,7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 208 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 67 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 158,34 ₴



