N-ch; 30V; 100A; 42W; 0,0018 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 100 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 2,2 мОм @10 В; 3,6 мОм @4,5 В
- Порогова напруга VGS(th): 1,3…2,3 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 42 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: до +150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈34 нКл
- Ємності: Ciss ≈2,23 нФ
- Корпус: TSON Advance
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота в драйверах двигунів
- Робота в UPS
- Силова комутація
Розпіновка
Корпус TSON Advance, вид зверху за стандартною силовою 8-контактною схемою цього сімейства: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D). Нижня exposed/thermal pad, якщо є, також належить силовому вузлу Drain.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TSON Advance |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0036 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,3-2,3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 100 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 42 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 14 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 68 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 33,06 ₴



