P-ch; 60V; 11A; 35W; 0,066 Ohm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Використовується для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -11 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): ≈66 мОм за VBsemi-карткою
- Порогова напруга VGS(th): приблизно -1…-3 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 35 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Корпус: I-Pak
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Силова комутація
- Верхня комутація живлення
- Захист від переполюсовки
Розпіновка
Корпус I-Pak, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | VBsemi |
| Корпус | I-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,08 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 35 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 15 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 110 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 38,86 ₴



