N-ch; 30V; 260A; 230W; 0,00195 Ohm
Опис
це N-канальний Logic-Level MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний Logic-Level MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 260 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 1,95 мОм @10 В; 2,6 мОм @4,5 В
- Порогова напруга VGS(th): 1,35…2,35 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 230 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈57 нКл @4,5 В
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота в драйверах двигунів
- Робота в UPS
- Силова комутація
Розпіновка
Корпус TO-220AB, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,00195 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,3-2,3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 260 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 230 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 36 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 33 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 69,02 ₴



