Транзистор польовий IRFH5300

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 100 А для оригінального Infineon; картка Nikom — 40 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 1,4 мОм @10 В; 2,1 мОм @4,5 В
• Порогова напруга VGS(th): 1,35…2,35 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): ≈3,6 Вт @Ta; значно більше за охолодження через корпус/PCB
• Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈50 нКл @4,5 В
• Корпус: PQFN-5X6

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота у BMS
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота в драйверах двигунів
• Робота в UPS
• Силова комутація

Розпіновка

Корпус PQFN-5X6, вид зверху за стандартною силовою 8-контактною схемою цього сімейства: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D). Нижня exposed/thermal pad, якщо є, також належить силовому вузлу Drain.