Транзистор польовий AOD472

Опис

це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 20 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): до 100 А у повній VB/AOD472-версії; коротка картка — 65 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): ≈4,5 мОм @4,5 В; коротка картка — 6 мОм
• Порогова напруга VGS(th): ≈1,5 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±12…20 В залежно ревізії
• Потужність розсіювання (PD): ≈8,3 Вт
• Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈35 нКл
• Ємності: Ciss ≈3,66 нФ; Coss ≈730 пФ; Crss ≈375 пФ
• Корпус: D-PAK

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота у BMS
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота в драйверах двигунів
• Робота в UPS
• Силова комутація

Розпіновка

Корпус D-PAK: логічна цокольовка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.