Транзистор польовий FDD6680AS
- Готово до відправки
- Код: A118447
59,74 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий FDD6680ASГотово до відправки
59,74 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
(N-Ch) 30 V; 50 A; 0,0105 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 55 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 100 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 10,5 мОм @10 В; 13 мОм @4,5 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): ≈60 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): typ ≈21 нКл
- Корпус: D-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота в драйверах двигунів
- Робота в UPS
- Силова комутація
Розпіновка
Корпус D-PAK: логічна цокольовка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | HXY |
| Корпус | D-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,014 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,2-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 60 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 41 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 53 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 59,74 ₴