(N-Ch) 30 V; 150 A; 0,0024 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 150 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): typ 2,4 мОм; max 3,2 мОм @10 В; max 6,5 мОм @4,5 В
- Порогова напруга VGS(th): 1,2…2,5 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 60 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈39 нКл @10 В
- Ємності: Ciss ≈3,5 нФ; Coss 480 пФ; Crss 410 пФ
- Корпус: D-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота в драйверах двигунів
- Робота в UPS
- Силова комутація
Розпіновка
Корпус D-PAK: логічна цокольовка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | HUASHUO |
| Корпус | D-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0065 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,2-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 150 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 60 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 20 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 99 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 80,62 ₴



