(P-Ch) 40 V; 50 A; 0,012 Ohm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Використовується для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -40 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -60 А silicon-limited; корпус обмежує приблизно -50 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): -100 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 13 мОм @-10 В; 22 мОм @-4,5 В
- Порогова напруга VGS(th): typ ≈-2,1 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 93,7 Вт @Tc; 3 Вт @Ta
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈63 нКл
- Корпус: D-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Силова комутація
- Верхня комутація живлення
- Захист від переполюсовки
Розпіновка
Корпус D-PAK: логічна цокольовка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | VBsemi |
| Корпус | D-Pak |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 40 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,015 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,5-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 50 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 136 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 15 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 60 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 87 ₴



