Транзистор польовий HYG035N10NS2P (HYG043N10NS2P/B)

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 180 А @25°C; 127 А @100°C
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): typ 3,2 мОм, max 4 мОм @10 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…4 В (typ 3 В)
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 220 Вт
• Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈115 нКл @10 В
• Ємності: Ciss ≈7,27 нФ; Coss ≈2,42 нФ; Crss ≈189 пФ
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота у BMS
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Комутація електричного навантаження

Розпіновка

Корпус TO-220AB, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).