Транзистор польовий NCE80H11D
- Готово до відправки
- Код: A118435
119,48 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий NCE80H11DГотово до відправки
119,48 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
(N-Ch) 80V; 120A; 370W
Опис
це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 80 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 120 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 225 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 6 мОм @10 В; 10 мОм @4,5 В
- Порогова напруга VGS(th): 2,5…4,5 В (typ ≈3 В)
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 370 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Повний заряд затвора (Qg): typ 53,5 нКл; max 81 нКл
- Корпус: TO-263
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота в драйверах двигунів
- Робота в UPS
- Силова комутація
Розпіновка
Корпус TO-263, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | VBsemi |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 80 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,006 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2,5-4,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 120 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 370 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 26 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 54 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 119,48 ₴