N; 30V; 8.5A; 1.5W
Опис
IRF7201 — N-канальний MOSFET-транзистор з низьким опором відкритого каналу, призначений для поверхневого монтажу та комутації в низьковольтних колах живлення.
Розпіновка корпусу SO-8: виводи 1, 2, 3 — Source (витік); вивід 4 — Gate (затвор); виводи 5, 6, 7, 8 — Drain (стік).
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний струм стоку (ID): 7,3 А при температурі 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,03 Ом при VGS = 10 В
- Порогова напруга затвора (VGS(th)): 1 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2,5 Вт
- Корпус: SO-8 (SOIC-8), SMD
Функціонал
- Комутація низьковольтних навантажень
- Імпульсне перемикання електричних кіл
- Керування живленням у низьковольтних схемах
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,03 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 7 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 21 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 17,98 ₴


