Транзистор польовий IRF2805S
- Готово до відправки
- Код: A118425
101,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий IRF2805SГотово до відправки
101,50 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-ch 55V; 75A; 0,0047 Ом
Опис
це N-канальний MOSFET, VBsemi-версія з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi-версія
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В за повною таблицею VBsemi; короткий рядок вказує 55 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): до 210 А у таблиці VBsemi; короткий рядок 75 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): ≈6 мОм у таблиці VBsemi; короткий рядок 4,7 мОм
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): ≈375 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈29 нс; td(off) ≈125 нс
- Корпус: D2-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка/фланець також електрично з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D2-Pak |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,006 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 210 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 375 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 29 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 125 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 101,50 ₴