Транзистор польовий IRL510

Опис

це N-канальний Logic-Level MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний Logic-Level MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 5,6 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): ≈18 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): max ≈0,54 Ом @VGS=5 В (картка може вказувати до 0,76 Ом за інших умов)
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1…2 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±10 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 43 Вт
• Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈6,1 нКл
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота у BMS
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Комутація електричного навантаження

Розпіновка

Корпус TO-220AB, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).