Транзистор польовий IPP045N10N3G
- Готово до відправки
- Код: A118417
101,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий IPP045N10N3GГотово до відправки
101,50 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-ch; MOSFET; 100V; 100A
Опис
це N-канальний MOSFET OptiMOS 3 / сумісна UMW-версія з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET OptiMOS 3 / сумісна UMW-версія
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 137 А оригінальний Infineon; картка UMW вказує 100 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 400 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max 4,5 мОм @10 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…3,5 В (typ ≈2,7 В)
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 214 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Повний заряд затвора (Qg): typ 88 нКл; max 117 нКл
- Корпус: TO-220
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус TO-220, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | UMW |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0045 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-3,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 100 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 214 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 27 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 48 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 101,50 ₴