N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Опис
це N-канальний Logic-Level MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний Logic-Level MOSFET, VBsemi
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 50 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 32 мОм
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1…3 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±10 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 150 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈17 нс; td(off) ≈42 нс
- Корпус: D2-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка/фланець також електрично з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D2-Pak |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 10 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,032 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 50 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 150 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 17 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 42 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 56,84 ₴



