N-ch; 600V; 10A; 45W; 0.54 Ohm
Опис
це N-канальний високовольтний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для швидкої високовольтної комутації в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, перетворювачах та інших силових каскадах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний високовольтний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 10 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): ≈40 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,54 Ом
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±30 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 45 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈50 нс; td(off) ≈180 нс
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
Розпіновка
Корпус TO-220F (FullPak), дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня корпусу електрично ізольована.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220F |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 600 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,54 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 10 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 45 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 50 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 180 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 131,66 ₴



