(N-Ch) 100V; 45A; 136W; 0,0185 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 45 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 18,5 мОм
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2,5…5 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 136 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈20 нс; td(off) ≈35 нс
- Корпус: D-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус D-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка/фланець також електрично з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D-Pak |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0185 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2,5-5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 45 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 136 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 20 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 35 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 89,90 ₴


