Транзистор польовий 17N80C3 (SPW17N80C3)

Опис

це N-канальний CoolMOS силовий польовий транзистор (MOSFET) з ізольованим затвором збагаченого типу. Він використовується в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, електронних баластах і високовольтних ключових каскадах. Максимальна напруга стік-витік становить 800 В.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний CoolMOS
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 800 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 17 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): близько 51 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): до 0,29 Ом при VGS=10 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): приблизно 2,1…3,9 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 208 Вт за карткою Infineon
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): до +150 °C
• Тип корпусу: TO-247

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Робота у ключових каскадах інверторів
• Робота у вузлах корекції коефіцієнта потужності

Розпіновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-247. Якщо дивитися на сторону з маркуванням (виводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — керуючий вивід. 2. Drain (D, Сток) — силовий вивід; теплова/металева площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Витік) — силовий вивід витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK велика теплова площадка електрично відповідає Drain (D).