(N-Ch) 200V; 1A; 1,5Ohm; 3,3W
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 200 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 1 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 1,5 Ом
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1…3 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 3,3 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Корпус: SOT-223
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус SOT-223: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка — Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STM |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SOT-223 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 200 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,5 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 1 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 3,3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 27,26 ₴


