P-Ch, MOSFET, Uds=30V, Id=20A, Rds=4.6mΩ
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується переважно для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -20 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max 4,6 мОм @-10 В; 6,8 мОм @-4,5 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): -1,3…-2,4 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2,5 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈25 нс; td(off) ≈65 нс
- Корпус: SO-8
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній живлення від переполюсовки
- Верхня комутація живлення
Розпіновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид зверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0046 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,3-2,4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 20 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 25 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 65 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 37,70 ₴


