(N P-Ch) N-30V; 2W; 6,5A; 0,029Ohm; P-30V; 4,9A; 0,058Ohm;
Опис
це комплементарна MOSFET-збірка N+P в одному корпусі. Вона призначена для компактних напівмостових каскадів, DC-DC перетворювачів, керування живленням та ключів навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: комплементарна MOSFET-збірка N+P
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): N: +30 В; P: -30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): N: +6,5 А; P: -4,9 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): N max 29 мОм @10 В; P max 58 мОм @-10 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): N ≥≈1 В; P ≤≈-1 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: до +150 °C
- Корпус: SO-8
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Комутація електричного навантаження
- Робота в напівмостових схемах
Розпіновка
Корпус SO-8, комплементарна пара N+P: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1. Канали електрично незалежні; один N-канальний, другий P-канальний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 26,10 ₴


