Транзистор польовий APM4953KC-TR

Опис

це подвійний P-канальний MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі SO-8. Він призначений для комутації живлення, захисту від переполюсовки, керування акумуляторними лініями та інших низьковольтних силових вузлів.

Технічні характеристики

• Тип / канал: подвійний P-канальний (2× P-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): -30 В для кожного каналу
• Максимальний постійний струм стоку (ID): до -4,9 А на канал (залежно від умов охолодження)
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): до -30 А імпульсно
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): порядку 0,053 Ом при VGS=-10 В; залежить від ревізії
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): приблизно -1…-3 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±25 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): близько 2,5 Вт для корпусу
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпусу: SO-8

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Захист ліній живлення від переполюсовки
• Керування живленням в акумуляторних вузлах

Розпіновка

Корпус SO-8, вид зверху, ключ/точка позначає вивід 1: 1. S1 — витік першого P-каналу. 2. G1 — затвор першого P-каналу. 3. S2 — витік другого P-каналу. 4. G2 — затвор другого P-каналу. 5. D2 — стік другого P-каналу. 6. D2 — стік другого P-каналу. 7. D1 — стік першого P-каналу. 8. D1 — стік першого P-каналу.