Транзистор польовий BS170
- Готово до відправки
- Код: A118022
15,08 ₴
Транзистор польовий BS170Готово до відправки
15,08 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
(N-Ch) 60V; 0,5A;
Опис
BS170 — кремнієвий N-канальний MOSFET-транзистор загального призначення у корпусі TO-92, призначений для комутації малих струмів, швидкого перемикання та підсилення сигналів.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, DMOS
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 500 мА
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): до 1,2 А
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): 0,8–3,0 В, типове значення близько 2,1 В
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): близько 1,2–5 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна розсіювана потужність: 350 мВт
- Корпус: TO-92
- Розпіновка: пін 1 — стік (Drain, D); пін 2 — затвор (Gate, G); пін 3 — витік (Source, S)
Функціонал
- Комутація малопотужних навантажень
- Керування реле, двигунами постійного струму та соленоїдами малої потужності
- Керування світлодіодними навантаженнями
- Перетворення логічних рівнів
- Комутація та підсилення сигналів
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-92 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,2 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,8-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,83 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 10 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 15,08 ₴