N-Ch; 60V; 30A; 70W; 0.028 Ohm
Опис
IRFZ34NS — N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу, призначений для комутації великих струмів у силовій електроніці, імпульсних джерелах живлення та системах керування електродвигунами.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 55 В
- Максимальний струм стоку (ID): 29 А при температурі корпусу 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,040 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна розсіювана потужність: 68 Вт
- Корпус: D2PAK (TO-263)
- Тип монтажу: SMD
Функціонал
- Комутація силових навантажень
- Робота у високочастотних ШІМ-регуляторах
- Робота в DC-DC перетворювачах
- Керування обертами електродвигунів
- Робота в інверторах та автомобільній електроніці
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,028 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 30 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 70 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 31 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 48,14 ₴



