Транзистор польовий FQPF6N90C

Опис

FQPF6N90C — потужний високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор, виготовлений за технологією QFET та призначений для комутації високовольтних кіл. Виконаний у повністю ізольованому пластиковому корпусі TO-220F, що дозволяє встановлювати його на радіатор без додаткової ізоляційної прокладки.

Розпіновка при розташуванні транзистора стороною з маркуванням до себе, виводами вниз, зліва направо: 1 — G (Gate), затвор, керуючий вивід; 2 — D (Drain), стік; 3 — S (Source), витік.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET, Enhancement Mode
• Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 900 В
• Максимальний струм стоку (ID): 6 А при температурі корпусу 25 °C; 3,8 А при 100 °C
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 24 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): до 2,3 Ом при VGS = 10 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±30 В
• Порогова напруга затвора (VGS(th)): 3–5 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 56 Вт при температурі корпусу 25 °C
• Заряд затвора (Qg): типово 30 нКл
• Корпус: TO-220F, ізольований пластиковий

Функціонал

• Комутація високовольтних електричних кіл
• Імпульсне перемикання навантажень
• Робота у високовольтних силових схемах