+380 (96) 723-12-25
+380 (95) 427-17-95
+380 (93) 170-21-75
НІКОМ радіо-маркет

Транзистор польовий IRF9310

  • Готово до відправки
  • Код: A118266

74,82 ₴

Транзистор польовий IRF9310
Транзистор польовий IRF9310Готово до відправки
74,82 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
P-Ch, MOSFET, Uds=30V, Id=20A, Rds=4.6mΩ

Опис

це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

  • Тип: P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 20
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 4.6 mΩ

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Керування силовими лініями у BMS
  • Комутація навантаження
  • Керування лініями живлення
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.

Характеристики
Основні
ВиробникIR
Користувальницькі характеристики
КорпусSO-8
Число каналів1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт30
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,0046
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1,3-2,4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер20
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд25
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд65
Інформація для замовлення
  • Ціна: 74,82 ₴