N-ch; 600V 8A 780mΩ@10V
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для швидкої високовольтної комутації в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, перетворювачах та інших силових каскадах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 8 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max ≈780 мОм @10 В; ≈1,07 Ом @4,5 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): typ ≈3,5 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±30 В
- Робоча / максимальна температура переходу: до +150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
Розпіновка
Корпус TO-220AB, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).
Інформація для замовлення
- Ціна: 49,88 ₴



