N-ch; MOSFET; 100V; 11A; 45W; 0,14 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: D-PAK
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 100 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 11 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 45 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0,14 Ом
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,152 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,7-2,8 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 45 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 17 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 30,74 ₴



