Транзистор польовий 2SK117

Опис

це N-канальний JFET (польовий транзистор з керуючим p-n переходом, режим збіднення). На відміну від звичайного enhancement MOSFET, такий транзистор проводить струм уже при VGS≈0 і керується зміною напруги затвор-витік. Основні сфери застосування: малошумні підсилювачі, вхідні каскади аудіоапаратури, генератори, аналогові комутатори та високoомні вимірювальні входи.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний JFET (польовий транзистор з керуючим p-n переходом, режим збіднення)
• Корпус: TO-92 Toshiba
• Монтаж: THT (вивідний монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 50 В
• Тип: N-channel JFET, depletion mode
• VGDS: -50 В
• IDSS: 1,2…14 мА залежно від групи Y/GR/BL
• VGS(off): -0,2…-1,5 В
• PD: 300 мВт
• TJ(max): +125 °C
• Шум: близько 1 dB typ при 1 кГц у контрольних умовах

Функціонал

• Комутація електричного навантаження

Розпіновка

Корпус TO-92 (Toshiba 2-5F1D). Якщо дивитися на плоску сторону корпусу, виводами вниз: 1. Drain (D, Сток) 2. Gate (G, Затвор) 3. Source (S, Витік) Це JFET, тому термін VGS(th) для MOSFET до нього не застосовується; використовується VGS(off).