N; 650V 20A 45W 500mΩ
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для швидкої високовольтної комутації в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, перетворювачах та інших силових каскадах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 650 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 20 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 500 мОм @10 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): ≈4 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 45 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈58,3 нКл
- Ємності: Ciss ≈2,962 нФ; Crss ≈18 пФ
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
Розпіновка
Корпус TO-220F (FullPak), дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня корпусу електрично ізольована.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | MDD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 38,86 ₴



