Транзистор польовий IRF840

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для швидкої високовольтної комутації в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, перетворювачах та інших силових каскадах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 500 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 9 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): typ ≈0,68 Ом @10 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…4 В (typ до 4 В)
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±30 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): ≈135 Вт
• Повний заряд затвора (Qg): ≈43 нКл
• Ємності: Ciss ≈1,505 нФ; Coss ≈60 пФ; Crss ≈35 пФ
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• Робота в інверторах
• Робота у вузлах PFC

Розпіновка

Корпус TO-220AB, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).