(N-Ch) 55V; 42A; 130W;
Опис
це N-канальний Logic-Level MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний Logic-Level MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 55 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 42 А (package-limited)
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): ≈360 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max 8 мОм @10 В; 12 мОм @4,5 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1…3 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±16 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 130 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈17 нс; td(off) ≈33 нс
- Корпус: D-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус D-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка/фланець також електрично з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 16 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 55 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,008 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 42 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 130 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 17 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 33 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 62,64 ₴



