Транзистор польовий OSP150N10

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 150 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): 4,8 мОм @10 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): typ ≈3 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 215 Вт
• Повний заряд затвора (Qg): ≈120 нКл
• Ємності: Ciss ≈3,55 нФ; Coss ≈550 пФ; Crss ≈75 пФ
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота у BMS
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Комутація електричного навантаження

Розпіновка

Корпус TO-220AB, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).