P-Ch; 30V 5.3A; 2,5W; 0,05 Ohm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується переважно для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -5,3 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): -20 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max ≈55 мОм @-10 В; ≈90 мОм @-4,5 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2,5 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Корпус: SO-8
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній живлення від переполюсовки
- Верхня комутація живлення
Розпіновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид зверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 9,05 ₴


