N-ch; 30V; 85A; 0.0022 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 85 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max 2,2 мОм @10 В; 3,6 мОм @4,5 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1,4…2,2 В (typ 1,8 В)
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 48 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: до +150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): 33 нКл @10 В; 15 нКл @4,5 В
- Швидкодія / час перемикання: td(on) 9,5 нс; td(off) 30 нс
- Корпус: DFN-8
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус DFN-8, вид зверху за нумерацією корпусу: 1. Source (S) 2. Source (S) 3. Source (S) 4. Gate (G) 5. Drain (D) 6. Drain (D) 7. Drain (D) 8. Drain (D). Велика нижня теплова площадка, якщо присутня у конкретному DFN/QFN виконанні, відноситься до силового вузла Drain.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | DFN5X6-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0036 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,4-2,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 85 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 48 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9,5 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 30 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 59,74 ₴



