P-ch; -100V; -6,6A; 44W; 530mOhm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується переважно для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -6,6 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): -26,4 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): typ 0,41 Ом; max 0,53 Ом @-10 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): -2…-4 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±30 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 44 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈30 нс; td(off) ≈50 нс
- Корпус: IPAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній живлення від переполюсовки
- Верхня комутація живлення
Розпіновка
Корпус IPAK, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | I-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,53 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 6,6 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 44 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 30 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 50 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 29 ₴



