Транзистор польовий SPB80N03S2-03 (2N0303)
- Готово до відправки
- Код: A118346
45,24 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий SPB80N03S2-03 (2N0303)Готово до відправки
45,24 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-ch; 30V; 80A; 300W
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 80 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max ≈3,1 мОм @10 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 300 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈33 нс; td(off) ≈140 нс
- Корпус: TO263-3-2
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус TO263-3-2, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка/фланець також електрично з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0034 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 80 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 300 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 33 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 140 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 45,24 ₴