N-Ch; 60V; 8A; 2,1W; 15,6 mOhm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 8 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): typ 15,6 мОм / max 20 мОм @10 В; max 28 мОм @4,5 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1…2,2 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2,1 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈38,5 нКл
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈7 нс; td(off) ≈29 нс
- Корпус: SO-8
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид зверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,028 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 8 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,1 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 7 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 29 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 22,62 ₴


