Dual N-ch; 20V; 12V; 7A; 2W; 0,045 Ohm
Опис
це подвійний N-канальний MOSFET (2×N), що містить два силові ключі в одному корпусі. Таке виконання використовується в DC-DC перетворювачах, вузлах керування живленням, напівмостах, BMS та компактних імпульсних схемах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: подвійний N-канальний MOSFET (2×N)
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 20 В на канал
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 7 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): ≈28 А на канал
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max ≈30 мОм @4,5 В; картка вказує 45 мОм
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 0,6…1,2 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±12 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈7,6 нс; td(off) ≈110 нс
- Корпус: SO-8
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота у BMS
- Комутація електричного навантаження
- Робота в напівмостових схемах
Розпіновка
Корпус SO-8, вид зверху, ключ/точка визначає вивід 1: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1. У корпусі знаходяться два незалежні N-канальні MOSFET.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 20 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,045 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,6-1,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 7,6 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 110 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 24,36 ₴


