P; 160V; 7A; 100W, пара 2sk1058
Опис
це P-канальний силовий MOSFET для лінійних/аудіо застосувань. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: P-канальний силовий MOSFET для лінійних/аудіо застосувань
- Корпус: TO3P
- Монтаж: THT (вивідний монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 160 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 7 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 100 Вт
- Тип: P-channel lateral MOSFET для аудіопідсилювачів
- VDS: -160 В
- ID: -7 А
- PD: 100 Вт
- Комплементарна пара: 2SK1058
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-3P, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз (Renesas): 1. Gate (G) 2. Source (S) — з ним також електрично пов'язаний фланець корпусу 3. Drain (D)
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-3P |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 15 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 160 |
| Полярність | P-Channel |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 100 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 230 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 110 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 537,08 ₴



