N-ch; 100V; 9,2A; 60W; 0,27 Ohm
Опис
це N-канальний Logic-Level MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний Logic-Level MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 9,2 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,27…0,38 Ом залежно від ревізії/умов VGS
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 1…2 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±10 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 60 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Швидкодія / час перемикання: td(on) ≈9,8 нс; td(off) ≈21 нс
- Корпус: D2-PAK
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка/фланець також електрично з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 10 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,38 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 9,2 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 60 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9,8 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 21 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 27,26 ₴



