N-ch; 60V; 0,3A; 0,83W; 5,3 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 0,3 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 1,2 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max 5,0 Ом @10 В; max 5,3 Ом @4,5 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±15 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 0,83 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -65…+150 °C
- Корпус: SOT-23
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в автомобільній електроніці
- Робота у BMS
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Комутація електричного навантаження
Розпіновка
Корпус SOT-23, вид зверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Витік) 3. Drain (D, Сток).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SOT-23 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -65 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 15 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 5,3 |
| Полярність | N-Channel |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,83 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 5,10 ₴


