P-ch; 100V; 0,7A; 1,3W; 1,2 Ohm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується переважно для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -0,7 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): -5,6 А (Vishay; старі IR-версії -3 А)
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): max 1,2 Ом @ VGS=-10 В
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): -2…-4 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 1,3 Вт
- Робоча / максимальна температура переходу: -55…+175 °C
- Повний заряд затвора (Qg): max 8,7 нКл
- Корпус: HD-1
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній живлення від переполюсовки
- Верхня комутація живлення
Розпіновка
Корпус HVMDIP / HD-1, 4 виводи. Якщо дивитися зверху згідно стандартної нумерації корпусу: 1. Drain (D, Сток) 2. Gate (G, Затвор) 3. Source (S, Витік) 4. Drain (D, Сток) — електрично з’єднаний з виводом 1. Два виводи Drain є однією електричною точкою.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | HEXDIP |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,2 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 1,3 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 15 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 28,42 ₴



